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碳化硅行业高科技证书 1200V 135mΩ,瞻芯电子第三代碳化硅量产
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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1200V 135mΩ,瞻芯电子第三代碳化硅量产

6月根据瞻芯电子官微消息,

基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证;同时,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。

瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET,现有3款产品:IV3Q12013T4Z,IV3Q12013BA,IV3Q12013BD,主要用于车载主驱。

相比于第二代工艺,第三代元胞的Pitch缩小了超过20%。在核心指标方面,,第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下,将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²,达到国际第一梯队的水平。第三代产品的开关损耗比第二代降低30%以上。此外,导通电阻Rds(on)的温度系数也明显降低,当Vgs=15V应用时,175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍;当Vgs=18V应用时,175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。

在可靠性方面,首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证,获得车规级可靠性认证证书,而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括动态可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),栅极负偏压下的HTRB等。

瞻芯电子成立于2017年,公司定位碳化硅IDM公司,包括晶圆和功率模块产品以及驱动和电源管理类模拟芯片产品。

来源:NE时代半导体

*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。

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